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质量流量控制器MFC

MFC是一种自动监测、测量和控制气体流量的紧凑型设备，由比例调节阀门、质量流量计和控制器（信号放大校准、PID控制与通讯电路）相结合的装置。我们的产品不仅有独特的双阀设计，可通过对照表和压力降来对流量进行实时监测和更正，还有经典的热式、改进的压力式产品，能覆盖各行业客户的不同需求。我们的产品可以应用在晶圆制程的沉积、蚀刻、清洗、离子注入、金属布线、扩散等工艺中，同时也广泛应用于光纤、科学仪器、镀膜等行业。

V系列MFC

P系列MFC

T系列MFC

E系列MFC

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压力控制器PC

在半导体制造中，压力控制器是保障工艺精度的关键元件。它被安装在气体或液体反应腔室的管路中，持续监测并反馈制程压力信号至控制系统。通过实时精准的压力控制,它能确保刻蚀、薄膜沉积等核心工艺在稳定、一致的压力环境下进行从而直接提升晶圆生产的均匀性、良率与可靠性。

压力控制器PC

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流量比例控制器FRC

tyc122cc太阳成集团元创的流量比例控制器使用特殊的控制阀来提高晶圆的一致性和晶圆与晶圆间的一致性。这是目前行业内响应最快的流量比例控制器，响应时间小于 1秒。

流量比例控制器FRC

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六元合金环

六元合金环采用 Paliney-7 材料，高强度、高硬度、弹性好、接触电阻低且稳定广泛用于印刷电路的滑动接点和低压直流回路的开关接点。可与大多数电位计绕组及贵金属滑环匹配，耐磨性好，噪音电平低，是一种理想的轻负荷弹性接点材料。

六元合金环

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IGS气路模块

IGS（Integrated Gas System）Block 是半导体制造气体输送系统的核心。它采用金属密封技术，实现超高纯度控制，并遵循 SEMI 标准，具备模块化设计的灵活性，可为半导体、光伏等行业提供稳定、高效且可定制的气路解决方案。tyc122cc太阳成集团元创凭借其在超纯气体精密加工领域的深厚积累，通过严格的工艺控制与全程材料追溯体系，致力于保障交付的每一件模块产品均具备卓越与可靠的性能。

IGS气路模块

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喷淋头

喷淋头在晶片反应中起着直接作用，负责将外部反应气体均匀引入腔室，在晶片上形成一致的涂层。特殊工艺气体通过喷淋头的小孔均匀地沉积在晶片表面，确保晶片表面膜层的均匀性和一致性。随着芯片进入高工艺阶段，对设备颗粒控制的要求也越来越严格。颗粒的大小和数量已成为清洁工作的重中之重。因此，打孔精度、孔内毛刺去除及表面处理是生产喷淋头的主要技术壁垒。

喷淋头

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金属加热器

金属加热器旨在为晶圆组件提供温度场，并直接参与晶圆反应。对温度均匀性、清洁度和密封性能的要求非常高，通常位于设备的反应腔内。

金属加热器

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腔体

腔体是半导体设备中参与晶圆制备反应工序的关键部件，为晶圆生产提供耐腐蚀、洁净和高真空环境，是提供工艺反应场景的核心容器，其密封性良好与否对系统是否满足所需条件起关键性作用。

腔体

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静电卡盘ESC

静电卡盘是一种利用静电吸附原理固定晶圆的装置，广泛应用于半导体制造、平板显示、LED 等领域。我们的静电卡盘采用高性能陶瓷材料，具有优异的导热性、绝缘性和耐腐蚀性。

静电卡盘ESC

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陶瓷加热盘Heater

专为半导体前道制程设计的陶瓷加热盘，是ICP/CCP Etch、CVD、SACVD等核心工艺设备的理想选择。通过精准调控输入功率与流体参数，它能够在严苛的工艺环境中提供卓越的温度均匀性与控制精度，助力客户实现更优的工艺一致性、稳定性与重复性，为芯片制造良率提升提供可靠保障。

陶瓷加热盘Heater

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多晶碳化硅制品

碳化硅聚焦环是用于半导体刻蚀工艺的关键部件，其作用是聚焦等离子体，提高刻蚀速率和均匀性，并保护腔体及刻蚀设备。我们的碳化硅聚焦环采用高纯度碳化硅材料，具有优异的耐等离子体腐蚀性能和高温稳定性。

多晶碳化硅制品

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多晶透明氧化铝陶瓷片

本产品覆盖蓝宝石片与多晶透明氧化铝片两大先进材料体系，为您的精密应用提供灵活、可靠的理想选择。

多晶透明氧化铝陶瓷片

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各类陶瓷结构件

提供氧化铝陶瓷结构件与氧化钇陶瓷结构件。氧化铝陶瓷结构件具有高绝缘性能、优异的热稳定性、机械强度与耐磨性。氧化钇陶瓷结构件具备卓越的耐等离子体腐蚀能力与高温稳定性。适用于半导体前道制程设备，提升工艺一致性与设备可靠性。

各类陶瓷结构件

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EPD-OES方案

EPD-OES 发射光谱终点检测方案基于光学发射光谱法原理，通过分析刻蚀、腔室清洗、去胶等过程中反应物或生成物的特征光谱强度变化来判断是否到达刻蚀终点。方案可集成到等离子体加工设备上，作为监测和控制工艺过程的关键手段。采用模块化设计，根据客户使用需求配置单通道、双通道或多通道模式。

EPD-OES方案

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真空成分分析仪VGCA

tyc122cc太阳成集团元创真空成分分析仪 VGCA 利用等离子发射光谱技术，通过传感器头部产生微小等离子体，并由内置光谱仪进行气体分析。系统自动解析光谱信息，可对真空环境中的气体存在状态及浓度进行监测。该传感器无需配备昂贵的差分抽气系统，可在宽泛的压力范围内生成等离子体。设备坚固耐用，维护简单，能够同时监测真空腔室内 20多种气体，功能涵盖:宽量程压力测量;泄漏检测;真空质量监测;工艺抽真空过程分析;气体分子成分分析;设备状态监控与故障预警;工艺终点判定;气体流量标定及组分比例分析等。

真空成分分析仪VGCA

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IEP激光干涉测厚仪

IEP（Interferometric Endpoint）干涉法终点检测系统通过监测晶圆表面被刻蚀膜层的厚度变化来判断是否到达刻蚀终点。系统包含采集干涉光谱的逻辑和计算膜厚判断终点的算法，集成到等离子体刻蚀设备上，作为监测和控制工艺过程的关键手段。

IEP激光干涉测厚仪

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非接触式测温解决方案

我们提供完整的非接触式测温解决方案，包含两款专业产品：低温测温计VSI PL0814T 采用先进的软、硬件设计，结构小巧，是一款非常适用于非金属或具备稳定氧化物涂层；嵌入式高精度高温计VSI POF1550T 为大批量的半导体和薄膜应用而设计。可以按照待测物的材料属性和测温范围配置不同的波长，提供符合用户应用场景需求的定制化解决方案。

非接触式测温解决方案

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MOCVD原位监测系统

VSI Link RTC-100 三位一体，集成了高温计、反射率计和翘曲率计，可实现温度测量和加热控制、薄膜厚度和生长速率测量、材料应力及翘曲测量等功能。在 MOCVD外延生长过程中，VSI Link RTC-100对生长的各种参数和设备状况进行原位实时监测和控制,以便有效实现外延生长，避免废品，提高重现性和设备效能。

MOCVD原位监测系统

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电容式真空计

tyc122cc太阳成集团元创电容式真空计（MC300 系列）是一款绝压型真空计，利用金属隔膜与固定电极之间的电容变化来测量气体压力。该产品能够精确测量腔体气体压力，广泛应用于半导体、光伏等领域，是制程工艺压力测量不可或缺的测量仪器。

电容式真空计

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RGA残余气体分析仪

VSI RGA 凭借精准测量与智能分析，操作简便，实时同步数据。
广泛应用于半导体、科研及真空工艺，是保障真空系统洁净与高效运行的理想工具。

RGA残余气体分析仪

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高精度射频功率计

tyc122cc太阳成集团元创高精度射频功率计，由精密射频功率传感器与多功能功率显示器集成而成，专为半导体加工等要求严苛的场景打造，提供实验室级的射频功率测量解决方案。系统核心的传感器能有效消除幅度调制与谐波干扰，确保在指定频率与功率范围内实现高达 ±1% 的测量精度。与之配套的显示器则直观呈现正向与反射功率、回波损耗等关键参数，实现对射频系统实时工况的精准监控。

高精度射频功率计

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桌面式椭偏仪

椭偏仪可同时测定薄膜厚度和光学常数(如折射率和消光系数等)，适合测量的膜厚范围广，可测量多层薄膜，已成为半导体工业测量薄膜厚度和光学常数的标准仪器。

桌面式椭偏仪

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ICP-OES/MS 常用消耗品和备件

我们为ICP-OES/MS系统提供全套常用消耗品与核心备件，产品线涵盖雾化器、雾化室、炬管以及采样锥/截取锥等关键部件。凭借稳定的性能与严格的质量控制，确保您的分析设备持续获得准确、可靠的数据支持。

ICP-OES/MS 常用消耗品和备件

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超高压汞灯

超高压汞灯有着特殊的光谱特性、极高的亮度和稳定的紫外光输出，在半导体光刻、显示面板光刻、PCB 曝光领域中有着十分重要的应用。tyc122cc太阳成集团元创自研的超高压汞灯产品系列全，从低功率到高功率全覆盖（75w-16000W) ，匹配各类光刻和曝光设备。

超高压汞灯

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微波电源

915MHz 75kW的微波电源已经通过了工艺测试,在批量生产中。tyc122cc太阳成集团的微波
电源能媲美MKS的微波电源。可根据客户需求,定制915MHz 30kW~100kW
的产品,2.45GHz的微波电源也在开发中。广泛应用在MPCVD、加热解冻干
燥、石英提纯、医疗度弃物处理,半导体等领域。

微波电源

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静电卡盘电源

静电卡盘（Electrostatic Chuck, ESC）是半导体制造、平板显示（FPD）和光伏设备中的关键部件，用于在真空环境下通过静电力固定晶圆或玻璃基板。静电卡盘电源（ESC PS）是为 ESC 提供高精度直流或脉冲电压的核心组件，其性能直接影响工艺稳定性和良率。tyc122cc太阳成集团元创静电卡盘电源（ESC PS）利用绝缘栅双极型晶体管（ IGBT）驱动实现三相六极的高压输出，施加到静电卡盘（Electrostatic Chuck, ESC）电极，实现晶圆的吸附和释放，可通过高压电容反馈监测晶圆的吸附效果。

静电卡盘电源

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射频电源

tyc122cc太阳成集团元创自研射频电源产品线丰富，覆盖400KHZ~60MHz等频率，功率等级:600W~30kW，可根据用户需求，灵活定制具备 CW、ON/OFF脉冲、H/L脉冲、多节脉冲，AFT/DFT扫频算法，实时功率和负载阻抗测量应用于等离子刻蚀、PECVD、射频溅射、平行板、射频激光、IPC/RIE/CVD/PVD 等半导体及太阳能薄膜的典型工艺。

射频电源

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半导体水浴恒温槽

VMS - TEB - ***L 系列的半导体水浴恒温槽整机采用先进的内循环 / 外循环泵系统。内循环通过半导体制冷器和先进的 PID 控温程序保证内腔温度均匀恒定，外循环泵可以把槽内恒温液体的热量引到第二恒温场。产品采用高亮 SUS304 不锈钢结构，具备高耐蚀性，更适用洁净室使用；该系列产品具有较高的 COP，高，低功耗，高性能，控制精度高，内置液检测开关及多种报警装置，安全耐用，运行数据和报警信息可以同步上传到 PC 系统。

半导体水浴恒温槽

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tyc122cc太阳成集团

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