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前驱体

前驱体通常指的是在材料制备过程中，一种用于合成或制备其他物质的中间形态的物质。在半导体制造的薄膜沉积工艺中，前驱体是关键材料，主要用于气相沉积（包括物理沉积PVD、化学气相沉积CVD及原子气相沉积ALD）镀膜过程，以形成半导体制造要求的各种薄膜材料，也可用于半导体外延生长、刻蚀、离子注入掺杂以及清洗等。

二氯二氧化钼

二氯二氧化钼

用作含钼薄膜的重要镀膜前驱体

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二氯二氧化钼MoO2Cl2-CN

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二氯二氧化钼MoO2Cl2-EN

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四氯化铪

四氯化铪

用于高端集成电路制造ALD/CVD工艺中的high-k 薄膜沉积前驱体；合成含铪薄膜前驱体的关键原料

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四氯化铪HfCl4(6N)-CN

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四氯化铪HfCl4(6N)-EN

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四氯化铪HfCl4-CN

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四氯化铪HfCl4-EN

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BDEAS

BDEAS

ALD/CVD前驱体材料, 用于硅基薄膜沉积

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双(二乙胺基)硅烷BDEAS(6N)-CN

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双(二乙胺基)硅烷BDEAS(6N)-EN

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双(二乙胺基)硅烷BDEAS(5N)-CN

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双(二乙胺基)硅烷BDEAS(5N)-EN

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TEMAH

TEMAH

ALD/CVD的前驱体，用于含铪薄膜沉积；有机铪金属催化剂合成

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四(甲乙氨基)铪TEMAH-CN

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四(甲乙氨基)铪TEMAH-EN

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TEMAZ

TEMAZ

ALD/CVD的前驱体，用于含锆薄膜沉积；有机锆金属催化剂合成

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四(甲乙氨基)锆TEMAZ-CN

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四(甲乙氨基)锆TEMAZ-EN

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TEOS

TEOS

关键CVD/ALD硅基前驱体之一，广泛应用于SiO2 薄膜沉积。

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正硅酸乙酯TEOS-CN

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正硅酸乙酯TEOS-EN

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五氯化钼

五氯化钼

用作氯化催化剂；用于制备有机金属化合物，如六羰基钼。

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五氯化钼MoCl5-CN

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五氯化钼MoCl5-EN

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四甲基硅烷

四甲基硅烷

ALD/CVD前驱体材料，主要用作试剂、航空燃料、溶剂、核磁共振试剂。

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四甲基硅烷4MS-CN

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四甲基硅烷4MS-EN

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茂铪

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茂铪-CN

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异丙氧基乙基锌

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异丙氧基乙基锌-CN

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